RSE002P03
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
电子元器件分类
RSE002P03中文资料参数规格
封装参数
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
其他
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流IdDrain Current -2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance 0.9Ω @-200mA,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage -1.0--2.5V
耗散功率PdPower Dissipation 150mW/0.15W
规格书PDF __
RSE002P03引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSE002P03 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | RSE002P03 P沟道MOS场效应管 -30V -2A 0.9ohm SOT-363 marking/标记 WP 低导通电阻 4V驱动 | 搜索库存 |