NTMFS6H800NT1G
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ON Semiconductor
安森美
电子元器件分类
NTMFS6H800NT1G中文资料参数规格
技术参数
针脚数 5
漏源极电阻 0.0018 Ω
耗散功率 3.8 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 89 ns
输入电容Ciss 5530pF @40VVds
下降时间 85 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SO-8FL
外形尺寸
封装 SO-8FL
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Switching power supplies, 48V systems, Power switches High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
NTMFS6H800NT1G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTMFS6H800NT1G | ON Semiconductor 安森美 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 203 A, 80 V, 0.0018 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |