NVMFS5C404NWFT3G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 3900 mW
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 53A
上升时间 113 ns
输入电容Ciss 8400pF @25VVds
下降时间 109 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.9W Ta, 200W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SO-FL-8
封装 SO-FL-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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