SS8050DBU
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
SS8050DBU中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
针脚数 3
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 160
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 4.58 mm
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
制造应用 射频通信, 电源管理, 便携式器材, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SS8050DBU引脚图与封装图 
SS8050DBU引脚图
SS8050DBU封装图
SS8050DBU封装焊盘图
在线购买SS8050DBU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SS8050DBU | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor SS8050DBU , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=25 V, HFE:40, 3引脚 TO-92封装 | 搜索库存 |
替代型号SS8050DBU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SS8050DBU 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-226-3 1000mW | 当前型号 | ON Semiconductor SS8050DBU , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=25 V, HFE:40, 3引脚 TO-92封装 | 当前型号 |
| 型号： SS8050DTA 品牌： 安森美 封装： TO-92 1000mW | 类似代替 | ON Semiconductor SS8050DTA , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=25 V, HFE:40, 3引脚 TO-92封装 | SS8050DBU和SS8050DTA的区别 |
| 型号： S8050D 品牌： 三星 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A IC, 25V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | SS8050DBU和S8050D的区别 |