
频率 300 MHz
针脚数 3
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 35
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PN2222ATFR | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor PN2222ATFR , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PN2222ATFR 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-226-3 625mW | 当前型号 | ON Semiconductor PN2222ATFR , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | 当前型号 | |
型号: PN2222ATF 品牌: 安森美 封装: TO-92 625mW | 完全替代 | 小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | PN2222ATFR和PN2222ATF的区别 | |
型号: PN2222ABU 品牌: 安森美 封装: TO-92 625mW | 完全替代 | ON Semiconductor PN2222ABU , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:35, 300 MHz, 3引脚 TO-92封装 | PN2222ATFR和PN2222ABU的区别 | |
型号: PN2222AG 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 40V 600mA 625mW | 完全替代 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon | PN2222ATFR和PN2222AG的区别 |