NTMFS5C442NLT1G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTMFS5C442NLT1G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 3.1W Ta, 69W Tc
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 72 ns
输入电容Ciss 3100pF @25VVds
下降时间 8.4 ns
耗散功率Max 3.1W Ta, 69W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DFN-5
外形尺寸
封装 DFN-5
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
NTMFS5C442NLT1G引脚图与封装图
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在线购买NTMFS5C442NLT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTMFS5C442NLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 40V,121A,2.8mΩ,单N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号NTMFS5C442NLT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTMFS5C442NLT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DFN N-CH 40V 25A | 当前型号 | 40V,121A,2.8mΩ,单N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： NTMFS5C442NLT3G 品牌： 安森美 封装： SO-FL-8 N-CH 40V 25A | 功能相似 | N沟道 40V 130A | NTMFS5C442NLT1G和NTMFS5C442NLT3G的区别 |