KSD882YSTU
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
频率 90 MHz
针脚数 3
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 160 @1A, 2V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 160
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 10 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8.3 mm
宽度 3.45 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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KSD882YSTU | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor KSD882YSTU , NPN 晶体管, 3 A, Vce=30 V, HFE:30, 1 MHz, 3引脚 TO-126封装 | 搜索库存 |