NVD4804NT4G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NVD4804NT4G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0034 Ω
极性 N-CH
耗散功率 107 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 19.6A
输入电容Ciss 4490pF @12VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 107 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 7.49 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
NVD4804NT4G引脚图与封装图
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在线购买NVD4804NT4G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NVD4804NT4G | ON Semiconductor 安森美 | N 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号NVD4804NT4G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NVD4804NT4G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252-3 N-CH 30V 19.6A | 当前型号 | N 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： BSF053N03LTG 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | OptiMOS2功率MOSFET OptiMOS2 Power-MOSFET | NVD4804NT4G和BSF053N03LTG的区别 |