NTB125N02R
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTB125N02R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 24.0 V
额定电流 125 A
漏源极电阻 3.70 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.98W Ta, 113.6W Tc
输入电容 3.44 nF
栅电荷 28.0 nC
漏源极电压Vds 24 V
漏源击穿电压 24.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 125 A
输入电容Ciss 3440pF @20VVds
额定功率Max 1.98 W
耗散功率Max 1.98W Ta, 113.6W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
NTB125N02R引脚图与封装图
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在线购买NTB125N02R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTB125N02R | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 125 A， 24 VN沟道TO- 220 ， D2PAK Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK | 搜索库存 |
替代型号NTB125N02R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTB125N02R 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-263-3 N-Channel 125A 3.7mohms 3.44nF | 当前型号 | 功率MOSFET 125 A， 24 VN沟道TO- 220 ， D2PAK Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK | 当前型号 |
| 型号： NTB125N02RT4 品牌： 安森美 封装： TO-263-3 N-Channel 24V 125A 3.7mΩ | 完全替代 | 功率MOSFET 125 A， 24 VN沟道TO- 220 ， D2PAK Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK | NTB125N02R和NTB125N02RT4的区别 |
| 型号： NTB125N02RG 品牌： 安森美 封装： D2PAK N-Channel 125A 3.7mohms 3.44nF | 完全替代 | 功率MOSFET 125 A， 24 VN沟道TO- 220 ， D2PAK Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK | NTB125N02R和NTB125N02RG的区别 |
| 型号： NTB125N02RT4G 品牌： 安森美 封装： TO-263-3 N-Channel 24V 125A 3.7mohms | 类似代替 | 125A,24V功率MOSFET | NTB125N02R和NTB125N02RT4G的区别 |