NTMFS4934NT1G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTMFS4934NT1G中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.00152 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 7.23 W
阈值电压 2.2 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 36.2 ns
输入电容Ciss 5505pF @15VVds
额定功率Max 930 mW
下降时间 9.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 930mW Ta, 69.44W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 DFN-8
外形尺寸
封装 DFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
NTMFS4934NT1G引脚图与封装图
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在线购买NTMFS4934NT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTMFS4934NT1G | ON Semiconductor 安森美 | 147A,30V,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号NTMFS4934NT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTMFS4934NT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 8-PowerTDFN N-Channel | 当前型号 | 147A,30V,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： NTMFS4934NT3G 品牌： 安森美 封装： 488AA | 功能相似 | 147A,30V,N沟道MOSFET | NTMFS4934NT1G和NTMFS4934NT3G的区别 |