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2SB766A-Q
Panasonic 松下 分立器件

2SB766A-Q PNP三极管 -30V -1A 200MHz 85~170 -400mV/-0.4V SOT-89/SC-62 marking/标记 BQ 低频输出放大

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −25V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 85~170 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1W Description & Applications| PNP Silicon epitaxial planar transistor For low-frequency output amplification Complementary to 2SD874A Features Large collector power dissipation PC. Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing. 描述与应用| PNP硅外延平面 对于低频输出放大 互补2SD874A 特点 大集电极功耗PC。 迷你功率型封装,允许瘦身带包装盒包装的设备和通过自动插入。

2SB766A-Q中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO -30V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO −25V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC -1A

截止频率fTTranstion FrequencyfT 200MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE 85~170

管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage -400mV/-0.4V

耗散功率PcPoWer Dissipation 1W

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2SB766A-Q引脚图与封装图
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2SB766A-Q Panasonic 松下 2SB766A-Q PNP三极管 -30V -1A 200MHz 85~170 -400mV/-0.4V SOT-89/SC-62 marking/标记 BQ 低频输出放大 搜索库存