NVMFS4C01NWFT1G

ON Semiconductor 安森美分立器件

N沟道 30V 370A

表面贴装型 N 通道 49A（Ta），319A（Tc） 3.84W（Ta），161W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

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MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN

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Trans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin4+Tab SO-FL

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Trans MOSFET N-CH 30V 319A 8-Pin SO-FL T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin4+Tab SO-FL T/R

NVMFS4C01NWFT1G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.84 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 68 ns

输入电容Ciss 10144pF @15VVds

下降时间 36 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.84W Ta, 161W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 DFN-5

外形尺寸

封装 DFN-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

NVMFS4C01NWFT1G引脚图与封装图

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