APT80GP60JDQ3

Microchip 微芯电子元器件分类

IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi

IGBT Module PT Single 600V 151A 462W Chassis Mount ISOTOP®

得捷:
IGBT 600V 151A 462W SOT227

贸泽:
IGBT 模块 FG, IGBT-COMBI, 600V, 80A, SOT-227

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 600V 151A 462000mW

APT80GP60JDQ3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 462 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

封装 ISOTOP-4

外形尺寸

封装 ISOTOP-4

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT80GP60JDQ3引脚图与封装图

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