NVMFS5C612NLT1G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NVMFS5C612NLT1G中文资料参数规格
技术参数
针脚数 5
漏源极电阻 0.00113 Ω
极性 N-CH
耗散功率 3.8 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 36A
上升时间 51 ns
输入电容Ciss 6660pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 167W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-FL
外形尺寸
封装 SO-FL
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
NVMFS5C612NLT1G引脚图与封装图
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在线购买NVMFS5C612NLT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NVMFS5C612NLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 60V,235A,1.5mΩ,N沟道功率汽车MOSFET | 搜索库存 |
替代型号NVMFS5C612NLT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NVMFS5C612NLT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SO-FL N-CH 60V 36A | 当前型号 | 60V,235A,1.5mΩ,N沟道功率汽车MOSFET | 当前型号 |
| 型号： NVMFS5C612NLWFT1G 品牌： 安森美 封装： SO-FL N-CH 60V 36A | 类似代替 | SO-FL N-CH 60V 36A | NVMFS5C612NLT1G和NVMFS5C612NLWFT1G的区别 |
| 型号： NVMFS5C612NLWFT3G 品牌： 安森美 封装： 488AA | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 60V 235A 5Pin DFN T/R | NVMFS5C612NLT1G和NVMFS5C612NLWFT3G的区别 |