额定功率 300 W
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 206A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 7360pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 SUPER-220
长度 11 mm
宽度 5 mm
高度 20.5 mm
封装 SUPER-220
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFBA1404PPBF | Infineon 英飞凌 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFBA1404PPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-Channel 40V 206A | 当前型号 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | 当前型号 | |
型号: IRFBA1404P 品牌: 英飞凌 封装: TO-273AA N-CH 40V 206A | 类似代替 | TO-273AA N-CH 40V 206A | IRFBA1404PPBF和IRFBA1404P的区别 | |
型号: BA1404 品牌: 英飞凌 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 95A ID, 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-273AA, LEAD FREE, SUPER-220, 3 PIN | IRFBA1404PPBF和BA1404的区别 |