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HN1C01FE
Toshiba 东芝 电子元器件分类

HN1C01FE NPN+NPN复合三极管 60V 0.15A HEF=200~400 SOT-563 标记C1G 用于开关/数字电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 150MA/0.15A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 80MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 200~400 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.1V~0.25V 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.1W 描述与应用 Description & Applications |   通用放大器音频应用程序   小包装双类型   高电压、高电流   :VCEO = 50 V,IC = 150MAMAX   高放大:hFE = 120 ~ 400 技术文档PDF下载 | 在线阅读


HN1C01FE中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

封装参数

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

HN1C01FE引脚图与封装图
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