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IRFB7730PBF

IRFB7730PBF

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Infineon 英飞凌 分立器件

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRFB7730PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 375 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0026 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 375 mW

阈值电压 3.7 V

输入电容 13660 pF

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 246A

上升时间 120 ns

输入电容Ciss 13660pF @25VVds

额定功率Max 375 W

下降时间 115 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电机驱动与控制, Power Management, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IRFB7730PBF引脚图与封装图
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IRFB7730PBF Infineon 英飞凌 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 搜索库存