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IRF2804STRLPBF

IRF2804STRLPBF

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Infineon 英飞凌 分立器件

INFINEON  IRF2804STRLPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 160A

N 通道功率 MOSFET,40V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRF2804STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 330 W

针脚数 7

漏源极电阻 1.2 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 330 W

阈值电压 20 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 160 A

上升时间 120 ns

输入电容Ciss 6450pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 130 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 11.3 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IRF2804STRLPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF2804STRLPBF Infineon 英飞凌 INFINEON  IRF2804STRLPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 160A 搜索库存
替代型号IRF2804STRLPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF2804STRLPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 40V 160A

当前型号

INFINEON  IRF2804STRLPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 160A

当前型号

型号: IRF2804STRL

品牌: 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 40V 280A

类似代替

D2PAK N-CH 40V 280A

IRF2804STRLPBF和IRF2804STRL的区别

型号: IRF2804SPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 40V 270A

功能相似

INFINEON  IRF2804SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 4 V

IRF2804STRLPBF和IRF2804SPBF的区别

型号: IRF2804STRRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 40V 280A

功能相似

单 N 沟道 40 V 330 W 160 nC 汽车 功率 Mosfet 表面贴装-D2PAK-3

IRF2804STRLPBF和IRF2804STRRPBF的区别