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SQJ140EP-T1_GE3

Vishay Siliconix 电子元器件分类

MOSFET N-CH 40V 266A PPAK SO-8

表面贴装型 N 通道 40 V 266A(Tc) 263W(Tc) PowerPAK® SO-8


得捷:
MOSFET N-CH 40V 266A PPAK SO-8


SQJ140EP-T1_GE3中文资料参数规格
其他

RoHS 状态 符合 ROHS3 规范

湿气敏感性等级 MSL 1(无限)

ECCN EAR99

HTSUS 8541.29.0095

制造商 Vishay Siliconix

系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV

包装 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态 在售

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 Id 266A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.1 毫欧 @ 15A,10V

不同 Id 时 Vgsth(最大值) 3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 Qg(最大值) 64 nC @ 10 V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时输入电容 Ciss(最大值) 3855 pF @ 25 V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 263W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 PowerPAK® SO-8

封装/外壳 PowerPAK® SO-8

基本产品编号 SQJ140

符合标准

RoHS标准

SQJ140EP-T1_GE3引脚图与封装图
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