IRF7769L1TRPBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRF7769L1TRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 3.3 W
针脚数 15
漏源极电阻 0.0028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.3 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 11560pF @25VVds
下降时间 41 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.3W Ta, 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 15
封装 Direct-FET
外形尺寸
封装 Direct-FET
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated Primary Side MOSFETs, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Battery Operated Drive, Load Switch High Side
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF7769L1TRPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7769L1TRPBF | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 375 A, 100 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.7 V | 搜索库存 |