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ON Semiconductor 安森美 电子元器件分类

BC848CW NPN三极管 30V 100mA/0.1A 100MHz 420~800 200~600 mV SOT-323/SC-70 marking/标记 1L

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 30V

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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 30V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A

截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 420~800

管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 200~600 mV

耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W

Description & Applications| These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 which is designed for low power surface mount applications.

描述与应用| 这些晶体管是专为通用放大器应用。他们被安置在SOT-323/SC-70这是专为低功率表面贴装应用。

BC848CW中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420

最大电流放大倍数hFE 800

封装参数

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Active

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

BC848CW引脚图与封装图
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BC848CW ON Semiconductor 安森美 BC848CW NPN三极管 30V 100mA/0.1A 100MHz 420~800 200~600 mV SOT-323/SC-70 marking/标记 1L 搜索库存
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型号: BC848CW

品牌: ON Semiconductor 安森美

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BC848CW NPN三极管 30V 100mA/0.1A 100MHz 420~800 200~600 mV SOT-323/SC-70 marking/标记 1L

当前型号

型号: BC847BW

品牌: Diotec Semiconductor

封装:

类似代替

Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 200mW; SOT323

BC848CW和BC847BW的区别

型号: BC847CW

品牌: Diotec Semiconductor

封装:

类似代替

Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 200mW; SOT323

BC848CW和BC847CW的区别

型号: BC847CLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC847CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE

BC848CW和BC847CLT1G的区别