![PBSS5130T,215](https://image.ruidan.com/images/icbks/ic_605/chanpintu/pbss5130t215-AwqRuEyg-dqR5gmREZ.png)
额定功率 0.48 W
针脚数 3
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 260 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 300 @100mA, 2V
额定功率Max 480 mW
直流电流增益hFE 450
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 480 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PBSS5130T,215 | Nexperia 安世 | Nexperia PBSS5130T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:201, 200 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PBSS5130T,215 品牌: Nexperia 安世 封装: TO-236AB | 当前型号 | Nexperia PBSS5130T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:201, 200 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | 当前型号 | |
型号: PBSS5130T 品牌: 安世 封装: SOT-23 | 功能相似 | 低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia | PBSS5130T,215和PBSS5130T的区别 |