锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

NVMFD5C650NLT1G

NVMFD5C650NLT1G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 电子元器件分类

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 111 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2.2 V

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Features |   | Benefits

---|---|---

 | |  | |  |

.
Low on resistance

|   |

.
Minimal conduction losses
.
High current capability

|   |

.
Robust load performance
.
100% avalanche tested

|   |

.
Safeguard against voltage overstress failures
.
AEC-Q101 Qualified

|   |

.
Suitable for automotive applications
NVMFD5C650NLT1G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0035 Ω

耗散功率 125 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 2546pF @25VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Low side / high side driver, Solenoid driver

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

NVMFD5C650NLT1G引脚图与封装图
NVMFD5C650NLT1G引脚图

NVMFD5C650NLT1G引脚图

NVMFD5C650NLT1G封装图

NVMFD5C650NLT1G封装图

NVMFD5C650NLT1G封装焊盘图

NVMFD5C650NLT1G封装焊盘图

在线购买NVMFD5C650NLT1G
型号 制造商 描述 购买
NVMFD5C650NLT1G ON Semiconductor 安森美 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 111 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2.2 V 搜索库存