FDP054N10
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 92 ns
输入电容Ciss 9985pF @25VVds
额定功率Max 263 W
下降时间 39 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 263 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.38 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDP054N10 | ON Semiconductor 安森美 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |