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FDP054N10
ON Semiconductor 安森美 分立器件

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor


得捷:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3


立创商城:
FDP054N10


欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP054N10, 144 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 144A 3-Pin3+Tab TO-220 T/R


FDP054N10中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 92 ns

输入电容Ciss 9985pF @25VVds

额定功率Max 263 W

下降时间 39 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 263 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.38 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FDP054N10引脚图与封装图
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FDP054N10 ON Semiconductor 安森美 PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存