IRF7739L2TRPBF
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
额定功率 125 W
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 46A
上升时间 71 ns
输入电容Ciss 11880pF @25VVds
下降时间 42 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 15
封装 Direct-FET
封装 Direct-FET
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF7739L2TRPBF | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 375 A, 40 V, 700 µohm, 10 V, 2.8 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7739L2TRPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-Channel 40V 46A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 375 A, 40 V, 700 µohm, 10 V, 2.8 V | 当前型号 | |
型号: IRF7739L2TR1PBF 品牌: 英飞凌 封装: Direct-FET N-CH 40V 46A | 功能相似 | Direct-FET N-CH 40V 46A | IRF7739L2TRPBF和IRF7739L2TR1PBF的区别 |