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NTMFS4983NFT1G

NTMFS4983NFT1G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

功率MOSFET,30V,106A,2.1mΩ,单N沟道

N-Channel 30V 22A Ta, 106A Tc 1.7W Ta Surface Mount 5-DFN 5x6 8-SOFL


得捷:
MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN


立创商城:
N沟道 30V 106A


艾睿:
This NTMFS4983NFT1G power MOSFET from ON Semiconductor can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 7700 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SO-FL T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  NTMFS4983NFT1G  MOSFET, N-CH, 30V, 30A, SO-8FL New


力源芯城:
功率MOSFET,30V,106A,2.1mΩ,单N沟道


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 160A SO8FL


NTMFS4983NFT1G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0016 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.13 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 48A

上升时间 24.9 ns

输入电容Ciss 3250pF @15VVds

额定功率Max 1.7 W

下降时间 10.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.7W Ta, 38W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

NTMFS4983NFT1G引脚图与封装图
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在线购买NTMFS4983NFT1G
型号 制造商 描述 购买
NTMFS4983NFT1G ON Semiconductor 安森美 功率MOSFET,30V,106A,2.1mΩ,单N沟道 搜索库存
替代型号NTMFS4983NFT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: NTMFS4983NFT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SO-8FL N-Channel 30V 48A

当前型号

功率MOSFET,30V,106A,2.1mΩ,单N沟道

当前型号

型号: NTMFS4983NFT3G

品牌: 安森美

封装:

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NTMFS4983NFT1G和NTMFS4983NFT3G的区别