锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FDMS86500L

FDMS86500L

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500L, 158 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor

### MOSFET ,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN


立创商城:
FDMS86500L


欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500L, 124 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 80 A, 0.0021 ohm, Power 56, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 8-Pin Power 56 T/R


FDMS86500L中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0021 Ω

耗散功率 104 W

阈值电压 1.8 V

输入电容 9420 pF

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 9420pF @30VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 7.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDFN-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 TDFN-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FDMS86500L引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDMS86500L
型号 制造商 描述 购买
FDMS86500L ON Semiconductor 安森美 ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500L, 158 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装 搜索库存