FDP023N08B_F102
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
FDP023N08B_F102中文资料参数规格
技术参数
上升时间 71 ns
输入电容Ciss 10350pF @37.5VVds
下降时间 56 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 245 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.38 mm
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
FDP023N08B_F102引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP023N08B_F102 | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP023N08B_F102, 242 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装 | 搜索库存 |