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2SD1664
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 电子元器件分类

2SD1664 NPN三极管 40V 1A 150MHz 120~270 150mV/0.15V SOT-89/SC-62/MPT3 marking/标记 DAQ

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 32V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 180~390 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV/0.15V 耗散功率PcPower Dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Medium Power Transistor 32V, 1A Features
.
Low VCEsat, VCEsat = 0.15V typical. IC /IB = 500mA/50mA * Complements the 2SB1132 / 2SB1237. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用 | 中等功率晶体管(32V,1A) 特点 *低VCE(sat)的,VCE(饱和)=0.15V。 (IC / IB500mA/50mA) *补充 2SB1132/2SB1237。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管
2SD1664中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

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RoHS标准 RoHS Compliant

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