NVMFS4C03NT3G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
耗散功率 3.71W Ta, 77W Tc
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 3071pF @15VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.71W Ta, 77W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 DFN-5
封装 DFN-5
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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NVMFS4C03NT3G | ON Semiconductor 安森美 | NVMFS4C03N: 单 N 沟道,功率 MOSFET,逻辑电平,30V,159A,1.7mΩ | 搜索库存 |