IRF6618TRPBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRF6618TRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 89 W
通道数 1
针脚数 7
漏源极电阻 0.0017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 89 W
阈值电压 1.64 V
输入电容 5640 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 71 ns
输入电容Ciss 5640pF @15VVds
额定功率Max 2.8 W
下降时间 8.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
外形尺寸
长度 5.45 mm
宽度 5.05 mm
封装 Direct-FET
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRF6618TRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF6618TRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6618TRPBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRF6618TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 30 V, 0.0017 ohm, 10 V, 1.64 V 新 | 搜索库存 |
替代型号IRF6618TRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6618TRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 30A | 当前型号 | INFINEON IRF6618TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 30 V, 0.0017 ohm, 10 V, 1.64 V 新 | 当前型号 |
| 型号： IRF6618 品牌： 英飞凌 封装： Direct-FET N-CH 30V 170A | 类似代替 | Direct-FET N-CH 30V 170A | IRF6618TRPBF和IRF6618的区别 |
| 型号： IRF6618TR1PBF 品牌： 英飞凌 封装： DirectFET N-CH 30V 30A | 类似代替 | Direct-FET N-CH 30V 30A | IRF6618TRPBF和IRF6618TR1PBF的区别 |