锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRL2505STRLPBF

IRL2505STRLPBF

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

INFINEON  IRL2505STRLPBF  场效应管, MOSFET

Single N-Channel 55 V 3.8 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3


得捷:
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK


立创商城:
IRL2505STRLPBF


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 104 A, 0.008 ohm, TO-263AB, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
单 N沟道 55 V 3.8 W 130 nC 功率Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 104A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# INFINEON  IRL2505STRLPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 104 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 2 V


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK


IRL2505STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.008 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 104A

上升时间 160 ns

输入电容Ciss 5000pF @25VVds

额定功率Max 3.8 W

下降时间 84 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IRL2505STRLPBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRL2505STRLPBF
型号 制造商 描述 购买
IRL2505STRLPBF Infineon 英飞凌 INFINEON  IRL2505STRLPBF  场效应管, MOSFET 搜索库存
替代型号IRL2505STRLPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRL2505STRLPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 104A

当前型号

INFINEON  IRL2505STRLPBF  场效应管, MOSFET

当前型号

型号: IRL2505SPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 104A

类似代替

INFINEON  IRL2505SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 104 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 2 V

IRL2505STRLPBF和IRL2505SPBF的区别

型号: IRL2505S

品牌: 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 55V 104A 8mΩ

类似代替

D2PAK N-CH 55V 104A

IRL2505STRLPBF和IRL2505S的区别

型号: IRL2505STRL

品牌: 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 55V 104A

类似代替

D2PAK N-CH 55V 104A

IRL2505STRLPBF和IRL2505STRL的区别