锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MT6L75CT
Toshiba 东芝 电子元器件分类

MT6L75CT NPN+NPN复合三极管 10V/13V 25mA/80mA 70~140/110~160 CST3 标记52 用于开关/数字电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO Q1/Q2 | 10V/13V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO Q1/Q2 | 5V/6V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC Q1/Q2 | 25mA/80mA 直流电流增益hFE DC Current GainhFE Q1/Q2 | 70~140/110~160 截止频率fT Transtion FrequencyfT Q1/Q2 | 12000MHz/8500MHz 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.1W Description & Applications | Features • TOSHIBA TRANSISTOR SILICON, SILICON GERMANIUM NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE • It exsels in the buffer and oscillation use. • Two devices are built in to the fine pich small mold package 6pins:fs6 • VHF~UHF Band Low-Noise Amplifier Applications 描述与应用 | 特点 •晶体管的硅,硅锗NPN外延平面型 •缓冲和振荡使用exsels。 •两个设备都建在PICH优良的小型模具包(6pins咨询):FS6 •VHF〜UHF频段低噪声放大器应用

MT6L75CT中文资料参数规格
封装参数

封装 CST-3

外形尺寸

封装 CST-3

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO Q1/Q2 10V/13V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO Q1/Q2 5V/6V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC Q1/Q2 25mA/80mA

直流电流增益hFE DC Current GainhFEQ1/Q2 70~140/110~160

截止频率fT Transtion FrequencyfTQ1/Q2 12000MHz/8500MHz

耗散功率Pc Power Dissipation 0.1W

MT6L75CT引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MT6L75CT
型号 制造商 描述 购买
MT6L75CT Toshiba 东芝 MT6L75CT NPN+NPN复合三极管 10V/13V 25mA/80mA 70~140/110~160 CST3 标记52 用于开关/数字电路 搜索库存