MMBT3946DW1T1G

MMBT3946DW1T1G PNP+NPN复合三极管 -40V/60V -200mA/200mA 100~300 SOT-363/SC-88 标记46 用于开关/数字电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -40V/60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -40V/40V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -200mA/200mA 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz/300MHz 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage| -400mV/300mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 150mW Description & Applications| Features • Dual General Purpose Transistors • hFE, 100–300 • Low VCEsat, < 0.4 V • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space • Reduces Component Count • Available in 8 mm, 7–inch/3,000 Unit Tape and Reel • Device Marking: LMBT3946DW1T1G = 46 描述与应用| 特点 •双通用晶体管 •HFE，100-300 •低VCE（SAT）<0.4 V •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •可在8毫米，7寸/3,000组带和卷轴 •器件标识：LMBT3946DW1T1G= 46