
针脚数 3
耗散功率 310 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 310 mW
直流电流增益hFE 800
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC860BMTF | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor BC860BMTF , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:110, 150 MHz, 3引脚 SOT-23封装 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC860BMTF 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-23 | 当前型号 | ON Semiconductor BC860BMTF , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:110, 150 MHz, 3引脚 SOT-23封装 | 当前型号 | |
型号: BC860B,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 PNP 250mW | 功能相似 | NXP BC860B,215 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 220 hFE | BC860BMTF和BC860B,215的区别 | |
型号: BC860B 品牌: 英飞凌 封装: SOT-23/SC-59 | 功能相似 | PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors | BC860BMTF和BC860B的区别 |