NTP2955
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTP2955中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -12.0 A
通道数 1
漏源极电阻 156 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.4 W
阈值电压 4 V
输入电容 700 pF
栅电荷 14.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 41 ns
输入电容Ciss 700pF @25VVds
额定功率Max 2.4 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta, 62.5W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 50
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
NTP2955引脚图与封装图
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在线购买NTP2955
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTP2955 | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET -60 V， -12 ，单P沟道， TO- 220 Power MOSFET −60 V, −12 A, Single P−Channel, TO−220 | 搜索库存 |
替代型号NTP2955
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTP2955 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220 P-Channel 60V 12A 156mΩ 4V 700pF | 当前型号 | 功率MOSFET -60 V， -12 ，单P沟道， TO- 220 Power MOSFET −60 V, −12 A, Single P−Channel, TO−220 | 当前型号 |
| 型号： NTP2955G 品牌： 安森美 封装： TO-220 P-Channel -60V 12A 156mohms 700pF | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR NTP2955G 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 196 mohm, -10 V, -4 V | NTP2955和NTP2955G的区别 |