NTR4503NT1
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTR4503NT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 2.00 A
漏源极电阻 105 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 420mW Ta
输入电容 135 pF
栅电荷 7.00 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
输入电容Ciss 250pF @24VVds
额定功率Max 420 mW
耗散功率Max 420mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
NTR4503NT1引脚图与封装图
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在线购买NTR4503NT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTR4503NT1 | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET的30 V ， 2.5 A单N沟道， SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N−Channel, SOT−23 | 搜索库存 |
替代型号NTR4503NT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTR4503NT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 30V 2A 105mΩ 135pF | 当前型号 | 功率MOSFET的30 V ， 2.5 A单N沟道， SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N−Channel, SOT−23 | 当前型号 |
| 型号： NTR4503NT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 30V 2A 105mohms 135pF | 完全替代 | 30V,2.5A功率MOSFET | NTR4503NT1和NTR4503NT3G的区别 |
| 型号： NTR4503NT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 30V 2.5A 105mohms | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR NTR4503NT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 140 mohm, 4.5 V, 1.75 V | NTR4503NT1和NTR4503NT1G的区别 |