KSP2222ABU
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
KSP2222ABU中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
针脚数 3
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 35
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 4.58 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
制造应用 电源管理, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17
KSP2222ABU引脚图与封装图
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在线购买KSP2222ABU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| KSP2222ABU | ON Semiconductor 安森美 | 小信号 NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
替代型号KSP2222ABU
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|---|---|---|---|---|
| 型号： KSP2222ABU 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-226-3 | 当前型号 | 小信号 NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 当前型号 |
| 型号： P2N2222ARL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 600mA | 完全替代 | 放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier TransistorsNPN Silicon | KSP2222ABU和P2N2222ARL1G的区别 |
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