NGD8205NT4
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
NGD8205NT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 350 V
额定电流 20.0 A
耗散功率 125 W
击穿电压集电极-发射极 390 V
额定功率Max 125 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
NGD8205NT4引脚图与封装图
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在线购买NGD8205NT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NGD8205NT4 | ON Semiconductor 安森美 | 点火IGBT 20安培， 350伏特， N沟道DPAK Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N−Channel DPAK | 搜索库存 |
替代型号NGD8205NT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NGD8205NT4 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DPAK 350V 20A 125W | 当前型号 | 点火IGBT 20安培， 350伏特， N沟道DPAK Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N−Channel DPAK | 当前型号 |
| 型号： NGD8205NT4G 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 350V 20A 125000mW | 类似代替 | 点火IGBT 20安培， 350伏特， N沟道DPAK Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N−Channel DPAK | NGD8205NT4和NGD8205NT4G的区别 |