NZT660A
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
NZT660A中文资料参数规格
技术参数
频率 75 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -3.00 A
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 250 @500mA, 2V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 25
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
NZT660A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买NZT660A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NZT660A | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NZT660A 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 75 MHz, 2 W, -3 A, 25 hFE | 搜索库存 |
替代型号NZT660A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NZT660A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-223 PNP -60V -3A 2000mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NZT660A 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 75 MHz, 2 W, -3 A, 25 hFE | 当前型号 |
| 型号： PZT2907AT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 PNP -60V -600mA 1500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR PZT2907AT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 200 hFE | NZT660A和PZT2907AT1G的区别 |
| 型号： PZT2907AT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 PNP -60V -600mA 1500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR PZT2907AT3G 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 50 hFE | NZT660A和PZT2907AT3G的区别 |
| 型号： NSV60600MZ4T1G 品牌： 安森美 封装： TO-261-4 PNP 2000mW | 功能相似 | PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | NZT660A和NSV60600MZ4T1G的区别 |