NGB18N40CLBT4

ON Semiconductor 安森美分立器件

点火IGBT 18安培， 400伏 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

IGBT 430V 18A 115W Surface Mount D2PAK

得捷:
IGBT 430V 18A 115W D2PAK

贸泽:
Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 18A 400V Ignition

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 115000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
IGBT 430V 18A 115W D2PAK

NGB18N40CLBT4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 18.0 A

耗散功率 115000 mW

上升时间 4.50 ns

击穿电压集电极-发射极 430 V

额定功率Max 115 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

NGB18N40CLBT4引脚图与封装图

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