BSH202,215
数据手册.pdf
Nexperia
安世
分立器件
针脚数 3
漏源极电阻 0.63 Ω
耗散功率 0.417 W
阈值电压 1.9 V
输入电容 80 pF
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 4.5 ns
输入电容Ciss 80pF @24VVds
额定功率Max 417 mW
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 417mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BSH202,215 | Nexperia 安世 | Nexperia Si P沟道 MOSFET BSH202,215, 520 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装 | 搜索库存 |