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BSH202,215

BSH202,215

数据手册.pdf
Nexperia 安世 分立器件

Nexperia Si P沟道 MOSFET BSH202,215, 520 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装

P 通道 MOSFET,


得捷:
NEXPERIA BSH202 - SMALL SIGNAL F


立创商城:
P沟道 30V 520mA


欧时:
Nexperia Si P沟道 MOSFET BSH202,215, 520 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -520 mA, -30 V, 0.63 ohm, -10 V, -1.9 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23


BSH202,215中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.63 Ω

耗散功率 0.417 W

阈值电压 1.9 V

输入电容 80 pF

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 4.5 ns

输入电容Ciss 80pF @24VVds

额定功率Max 417 mW

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 417mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

BSH202,215引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSH202,215 Nexperia 安世 Nexperia Si P沟道 MOSFET BSH202,215, 520 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装 搜索库存