BSH103,235
数据手册.pdf
Nexperia
安世
分立器件
BSH103,235中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 540mW Ta
输入电容 83 pF
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 83pF @24VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BSH103,235引脚图与封装图
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在线购买BSH103,235
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSH103,235 | Nexperia 安世 | BSH103,235 编带 | 搜索库存 |
替代型号BSH103,235
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSH103,235 品牌： Nexperia 安世 封装： TO-236AB | 当前型号 | BSH103,235 编带 | 当前型号 |
| 型号： BSH103,215 品牌： 安世 封装： | 类似代替 | Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH103,215, 850 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | BSH103,235和BSH103,215的区别 |