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BSH103,215

BSH103,215

数据手册.pdf
Nexperia 安世 分立器件

Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH103,215, 850 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装

N 通道 MOSFET,高达 30V,


欧时:
Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH103,215, 850 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装


得捷:
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB


立创商城:
N沟道 30V 850mA


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 400 mV


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R


BSH103,215中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 0.75 W

阈值电压 400 mV

输入电容 83 pF

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 850 mA

上升时间 3.5 ns

输入电容Ciss 83pF @24VVds

额定功率Max 540 mW

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 540mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, 工业, 消费电子产品, 便携式器材

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

BSH103,215引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSH103,215 Nexperia 安世 Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH103,215, 850 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 搜索库存
替代型号BSH103,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSH103,215

品牌: Nexperia 安世

封装:

当前型号

Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH103,215, 850 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装

当前型号

型号: BSH103,235

品牌: 安世

封装: TO-236AB

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