
针脚数 3
漏源极电阻 0.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.75 W
阈值电压 400 mV
输入电容 83 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 850 mA
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 83pF @24VVds
额定功率Max 540 mW
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 工业, 消费电子产品, 便携式器材
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSH103,215 | Nexperia 安世 | Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH103,215, 850 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSH103,215 品牌: Nexperia 安世 封装: | 当前型号 | Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH103,215, 850 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | 当前型号 | |
型号: BSH103,235 品牌: 安世 封装: TO-236AB | 类似代替 | BSH103,235 编带 | BSH103,215和BSH103,235的区别 |