NTGS3443T1G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTGS3443T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -2.00 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.058 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 565 pF
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 565pF @5VVds
额定功率Max 500 mW
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
外形尺寸
长度 3.1 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 便携式器材, Consumer Electronics, Portable Devices, 电源管理, 消费电子产品
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
海关信息
ECCN代码 EAR99
NTGS3443T1G引脚图与封装图 
NTGS3443T1G引脚图
NTGS3443T1G封装焊盘图
在线购买NTGS3443T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTGS3443T1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR NTGS3443T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -950 mV | 搜索库存 |
替代型号NTGS3443T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTGS3443T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TSOP P-Channel -20V 2A 65mohms | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR NTGS3443T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -950 mV | 当前型号 |
| 型号： NTGS3443T1 品牌： 安森美 封装： TSOP P-Channel 20V 2.2A 65mohms | 类似代替 | -2A,P沟道MOSFET | NTGS3443T1G和NTGS3443T1的区别 |
| 型号： NTGS3443T2G 品牌： 安森美 封装： TSOP P-Channel 65mohms | 类似代替 | -2A,-20V,P沟道MOSFET | NTGS3443T1G和NTGS3443T2G的区别 |
| 型号： NTGS3443BT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-457 | 类似代替 | -3.7A,-20V功率MOSFET | NTGS3443T1G和NTGS3443BT1G的区别 |