BD434S
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
BD434S中文资料参数规格
技术参数
频率 3 MHz
耗散功率 36 W
击穿电压集电极-发射极 22 V
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 5V
额定功率Max 36 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 36000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
封装 TO-126-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
BD434S引脚图与封装图
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在线购买BD434S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD434S | ON Semiconductor 安森美 | Trans GP BJT PNP 22V 4A 36000mW 3Pin3+Tab TO-126 Bag | 搜索库存 |
替代型号BD434S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD434S 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-225AA 36000mW | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 22V 4A 36000mW 3Pin3+Tab TO-126 Bag | 当前型号 |
| 型号： BD434STU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-126 PNP -22V -4A | 类似代替 | FAIRCHILD小信号晶体管 FAIRCHILD Small Signal Transistors | BD434S和BD434STU的区别 |