NTMFS5C670NLT1G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTMFS5C670NLT1G中文资料参数规格
技术参数
针脚数 5
漏源极电阻 0.0051 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 61 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.6W Ta, 61W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SO-FL-8
外形尺寸
长度 5.1 mm
宽度 6.1 mm
高度 1.95 mm
封装 SO-FL-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20
NTMFS5C670NLT1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买NTMFS5C670NLT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C670NLT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 60 V, 0.0051 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号NTMFS5C670NLT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTMFS5C670NLT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DFN-5 N-Channel | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C670NLT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 60 V, 0.0051 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
| 型号： NVMFS5C670NLT1G 品牌： 安森美 封装： DFN-5 N-Channel | 完全替代 | N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor | NTMFS5C670NLT1G和NVMFS5C670NLT1G的区别 |
| 型号： NTMFS5C670NLT3G 品牌： 安森美 封装： DFN N-Channel 60V 17A | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C670NLT3G 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 60 V, 0.0051 ohm, 10 V, 2 V | NTMFS5C670NLT1G和NTMFS5C670NLT3G的区别 |