IRF630
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ST Microelectronics
意法半导体
分立器件
IRF630中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 9.00 A
额定功率 75 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 75 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 700pF @25VVds
额定功率Max 75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 75W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 便携式器材, Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Ind, Consumer Electronics, Portable Devices, 电源管理, 消费电子产品
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRF630引脚图与封装图 
IRF630引脚图
IRF630封装图
IRF630封装焊盘图
在线购买IRF630
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF630 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS IRF630.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号IRF630
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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