NTJS4151P
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ON Semiconductor
安森美
电子元器件分类
NTJS4151P中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 47 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 1 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4.2A
封装参数
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
其他
最小包装 3000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
NTJS4151P引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTJS4151P | ON Semiconductor 安森美 | 沟槽功率MOSFET -20 V， -4.2 A，单P沟道， SC- 88 Trench Power MOSFET −20 V, −4.2 A, Single P−Channel, SC−88 | 搜索库存 |