NTJD4401NT2
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTJD4401NT2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 775 mA
漏源极电阻 510 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 270 mW
输入电容 46.0 pF
栅电荷 3.00 nC
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 630 mA
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
NTJD4401NT2引脚图与封装图
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在线购买NTJD4401NT2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTJD4401NT2 | ON Semiconductor 安森美 | 小信号MOSFET 20 V ，双N沟道， SC -88 ESD保护 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection | 搜索库存 |
替代型号NTJD4401NT2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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